基于功率MOSFET的锂电池保护电路设计
正常工作时，控制信号控制MOSFET打开，电池组的端子P+和P-输出电压，供负载使用。此时，功率MOSFET一直处于导通状态，功率损耗只有导通损耗，没有开关损耗，功率MOSFET的总的功率损耗并不高，温升小，因此功率MOSFET可以安全工作。
在应用过程中，为了防止瞬态的过载使短路保护电路误动作，因此，短路保护电路具有一定的延时。而且，由于电流检测电阻的误差、电流检测信号和系统响应的延时，通常，根据不同的应用，将短路保护时间设置在200μS至1000μS，这要求功率MOSFET在高的短路电流下，能够在此时间内安全的工作，这也提高了系统的设计难度。
功率MOSFET的跨导Gfs也会影响功率MOSFET的导通损耗。当MOSFET的Gfs较小且短路电流很大时，MOSFET将工作在饱和区，其饱和导通压降很大，如图3所示，MOSFET的VDS（ON）在短路时达到14.8V，MOSFET功耗会很大，从而导致MOSFET因过功耗而失效。如果MOSFET没有工作在饱和区，则其导通压降应该只有几伏，如图2（a）中的VDS所示。
提高关断的速度，可以减小关断损耗，但这会产生另外的问题。MOSFET的等效电路如图4所示，其包含了一个寄生的三极管。在MOSFET短路期间，电流全部通过MOSFET沟道流过，当MOSFET快速关断时，其部分电流会经过Rb流过，从而增加三极管的基极电压，使寄生三极管导通，MOSFET提前失效。计
基于功率MOSFET的锂电池保护电路设计
AOT266为AOS新一代的中压MOSFET，其耐压为60V，RDS仅为3.2毫欧，适合在磷酸铁锂电保护中的应用为AOT266在不正确的设计时快速关断的波形，AOT266在快关断过程中失效，失效时其电压尖峰为68V，失效后电流不能回零，其失效根本原因是关断太快。为使用正确的设计、放电电阻为1K时的慢速关断波形，MOSFET的关断时间达到13.5us，电压尖峰为80.8V，但MOSFET没有失效，因此慢速关断在这种应用中可以提高短路能力。
在MOSFET关断过程的后期，MOSFET通常会进入雪崩状态雪崩阶段。关断后期MOSFET漏极电压尖峰为VSPIKE=VB+LP*di/dt，回路的引线电感LP和di/dt过大均会导致MOSFET过压，从而导致MOSFET提前失效。
功率MOSFET的选取原则
（1）通过热设计来确定所需并联的MOSFET数量和合适的RDS；
（2）尽量选择较小RDS的MOSFET，从而能够使用较少的MOSFET并联。多个MOSFET并联易发生电流不平衡，对于并联的MOSFET应该有独立的并且相等的驱动电阻，以防止MOSFET间形成震荡；
（3）基于最大短路电流、并联的MOSFET数量、驱动电压等选择合适gFS的MOSFET；
（4）考虑在关断后期的电压尖峰，MOSFET的雪崩能量不能太小。
在电动车磷酸铁锂电池保护应用中，短路保护设计和整个系统的可靠性直接相关，因此不但要选择合适的功率MOSFET，而且要设计合适的驱动电路，才能保证功率MOSFET的安全工作。
